NTGS3433T1G Preços (USD) [391793pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.09441
- Número da peça:
- NTGS3433T1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTGS3433T1G electronic components. NTGS3433T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTGS3433T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTGS3433T1G Atributos do produto
Número da peça :
NTGS3433T1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.35A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 5V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SOT-23-6
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