IPD80N04S306ATMA1 Preços (USD) [165065pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22408
- 2,500 pcs$0.21342
- Número da peça:
- IPD80N04S306ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IPD80N04S306ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPD80N04S306ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 52µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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