SQJ486EP-T1_GE3 Preços (USD) [178202pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20756
- 3,000 pcs$0.17541
- Número da peça:
- SQJ486EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SQJ486EP-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQJ486EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1386pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
56W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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