TSM150NB04LCR RLG Preços (USD) [378506pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09772
- Número da peça:
- TSM150NB04LCR RLG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCR RLG electronic components. TSM150NB04LCR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM150NB04LCR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM150NB04LCR RLG Atributos do produto
Número da peça :
TSM150NB04LCR RLG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 41A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
966pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PDFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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