IRF6641TRPBF Preços (USD) [60382pcs Estoque]
- 1 pcs$0.74545
- 4,800 pcs$0.74174
- Número da peça:
- IRF6641TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRF6641TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF6641TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2290pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ MZ
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric MZ
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