Vishay Siliconix - SQM120P10_10M1LGE3

KEY Part #: K6417885

SQM120P10_10M1LGE3 Preços (USD) [44745pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.87385

Número da peça:
SQM120P10_10M1LGE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120P10_10M1LGE3 Atributos do produto

Número da peça : SQM120P10_10M1LGE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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