BSS123L Preços (USD) [1910550pcs Estoque]
- 1 pcs$0.01936
- 3,000 pcs$0.01611
- Número da peça:
- BSS123L
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor BSS123L electronic components. BSS123L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS123L Atributos do produto
Número da peça :
BSS123L
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
170mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
21.5pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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