SIA485DJ-T1-GE3 Preços (USD) [412515pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08966
- Número da peça:
- SIA485DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3 electronic components. SIA485DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA485DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA485DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA485DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
155pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
15.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6
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