SCT2160KEC Preços (USD) [6422pcs Estoque]
- 1 pcs$4.28360
- 100 pcs$4.08441
- Número da peça:
- SCT2160KEC
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2160KEC electronic components. SCT2160KEC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2160KEC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2160KEC Atributos do produto
Número da peça :
SCT2160KEC
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
208 mOhm @ 7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 18V
Vgs (máx.) :
+22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 800V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
165W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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