DMN3010LFG-7 Preços (USD) [383534pcs Estoque]
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- 2,000 pcs$0.08631
- Número da peça:
- DMN3010LFG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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DMN3010LFG-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3010LFG-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2075pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
900mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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