Renesas Electronics America - N0434N-S23-AY

KEY Part #: K6393834

N0434N-S23-AY Preços (USD) [129008pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.32827
  • 1,000 pcs$0.32664

Número da peça:
N0434N-S23-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0434N-S23-AY Atributos do produto

Número da peça : N0434N-S23-AY
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5550pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-262
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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