IRFSL38N20DPBF Preços (USD) [36692pcs Estoque]
- 1 pcs$1.06561
- 1,000 pcs$1.02299
- Número da peça:
- IRFSL38N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFSL38N20DPBF electronic components. IRFSL38N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL38N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL38N20DPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFSL38N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
43A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-262
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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