Vishay Siliconix - SI6469DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6393743

SI6469DQ-T1-GE3 Preços (USD) [144590pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.25709
  • 3,000 pcs$0.25581

Número da peça:
SI6469DQ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6469DQ-T1-GE3 Atributos do produto

Número da peça : SI6469DQ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSSOP
Pacote / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)