STD10N60M2 Preços (USD) [112621pcs Estoque]
- 1 pcs$0.32842
- 2,500 pcs$0.29235
- Número da peça:
- STD10N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STD10N60M2 electronic components. STD10N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD10N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD10N60M2 Atributos do produto
Número da peça :
STD10N60M2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V DPAK
Series :
MDmesh™ II Plus
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
85W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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