Infineon Technologies - BSS816NWH6327XTSA1

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BSS816NWH6327XTSA1 Preços (USD) [1173417pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03152
  • 3,000 pcs$0.02812

Número da peça:
BSS816NWH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS816NWH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS816NWH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 0.75V @ 3.7µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 2.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT323-3
Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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