Vishay Siliconix - IRFS11N50ATRRP

KEY Part #: K6399213

IRFS11N50ATRRP Preços (USD) [50557pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.77338
  • 800 pcs$0.72919

Número da peça:
IRFS11N50ATRRP
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS11N50ATRRP Atributos do produto

Número da peça : IRFS11N50ATRRP
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1423pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 170W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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