R6012FNX Preços (USD) [19647pcs Estoque]
- 1 pcs$2.30927
- 10 pcs$2.06027
- 100 pcs$1.68942
- 500 pcs$1.36802
- 1,000 pcs$1.09459
- Número da peça:
- R6012FNX
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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R6012FNX Atributos do produto
Número da peça :
R6012FNX
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
510 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220FM
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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