[3805pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSO615CT
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO615CT electronic components. BSO615CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO615CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO615CT Atributos do produto
Número da peça :
BSO615CT
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22.5nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 25V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-DSO-8
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