Infineon Technologies - AUIRL7732S2TR

KEY Part #: K6419526

AUIRL7732S2TR Preços (USD) [116471pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.31757
  • 4,800 pcs$0.29138

Número da peça:
AUIRL7732S2TR
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRL7732S2TR Atributos do produto

Número da peça : AUIRL7732S2TR
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2020pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ SC
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric SC

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