IPS80R600P7AKMA1 Preços (USD) [50279pcs Estoque]
- 1 pcs$0.76512
- 10 pcs$0.69028
- 100 pcs$0.55457
- 500 pcs$0.43131
- 1,000 pcs$0.33806
- Número da peça:
- IPS80R600P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IPS80R600P7AKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPS80R600P7AKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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