IPP60R250CPXKSA1 Preços (USD) [25834pcs Estoque]
- 1 pcs$1.37498
- 10 pcs$1.22955
- 100 pcs$0.95640
- 500 pcs$0.77445
- 1,000 pcs$0.65315
- Número da peça:
- IPP60R250CPXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 12A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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IPP60R250CPXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP60R250CPXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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