IXTN8N150L Preços (USD) [2563pcs Estoque]
- 1 pcs$17.82939
- 10 pcs$17.74068
- Número da peça:
- IXTN8N150L
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTN8N150L electronic components. IXTN8N150L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN8N150L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN8N150L Atributos do produto
Número da peça :
IXTN8N150L
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 4A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 15V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
545W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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