SUP85N03-3M6P-GE3 Preços (USD) [2767pcs Estoque]
- 1 pcs$0.76930
- 10 pcs$0.69530
- 100 pcs$0.55879
- 500 pcs$0.43461
- 1,000 pcs$0.34064
- Número da peça:
- SUP85N03-3M6P-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SUP85N03-3M6P-GE3 electronic components. SUP85N03-3M6P-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP85N03-3M6P-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUP85N03-3M6P-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SUP85N03-3M6P-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
85A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3535pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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