FDP3652 Preços (USD) [45843pcs Estoque]
- 1 pcs$0.85292
- 800 pcs$0.43454
- Número da peça:
- FDP3652
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDP3652 electronic components. FDP3652 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP3652, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDP3652 Atributos do produto
Número da peça :
FDP3652
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 61A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2880pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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