GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-263

KEY Part #: K6398278

GA20JT12-263 Preços (USD) [2551pcs Estoque]

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  • 10 pcs$17.10226
  • 25 pcs$15.71569
  • 100 pcs$14.60627

Número da peça:
GA20JT12-263
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
TRANS SJT 1200V 45A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA20JT12-263 Atributos do produto

Número da peça : GA20JT12-263
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : TRANS SJT 1200V 45A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : -
Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3091pF @ 800V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 282W (Tc)
Temperatura de operação : 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK (7-Lead)
Pacote / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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