Infineon Technologies - IRFU3708PBF

KEY Part #: K6411943

[13616pcs Estoque]


    Número da peça:
    IRFU3708PBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies IRFU3708PBF electronic components. IRFU3708PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU3708PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFU3708PBF Atributos do produto

    Número da peça : IRFU3708PBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
    Series : HEXFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 61A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±12V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2417pF @ 15V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 87W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : IPAK (TO-251)
    Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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