IXYS - MMIX1F230N20T

KEY Part #: K6395809

MMIX1F230N20T Preços (USD) [2882pcs Estoque]

  • 1 pcs$16.61017
  • 20 pcs$16.52753

Número da peça:
MMIX1F230N20T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 168A SMPD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMIX1F230N20T Atributos do produto

Número da peça : MMIX1F230N20T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
Series : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 168A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 378nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 600W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 24-SMPD
Pacote / caso : 24-PowerSMD, 21 Leads

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