Infineon Technologies - SPP15P10PLHXKSA1

KEY Part #: K6397264

SPP15P10PLHXKSA1 Preços (USD) [50552pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.77349

Número da peça:
SPP15P10PLHXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPP15P10PLHXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : SPP15P10PLHXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Series : SIPMOS®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1.54mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 128W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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