IXYS - IXTT10N100D2

KEY Part #: K6395169

IXTT10N100D2 Preços (USD) [8899pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.11938
  • 30 pcs$5.09391

Número da peça:
IXTT10N100D2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in IXYS IXTT10N100D2 electronic components. IXTT10N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT10N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT10N100D2 Atributos do produto

Número da peça : IXTT10N100D2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5320pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 695W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA