RFD3055LE Preços (USD) [105080pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40556
- 10 pcs$0.33459
- 100 pcs$0.25806
- 500 pcs$0.19116
- 1,000 pcs$0.15293
- Número da peça:
- RFD3055LE
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor RFD3055LE electronic components. RFD3055LE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFD3055LE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFD3055LE Atributos do produto
Número da peça :
RFD3055LE
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
38W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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