IRFR3410PBF Preços (USD) [13619pcs Estoque]
- 1 pcs$0.53935
- 10 pcs$0.47622
- 100 pcs$0.37625
- 500 pcs$0.27600
- 1,000 pcs$0.21790
- Número da peça:
- IRFR3410PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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IRFR3410PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFR3410PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1690pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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