FCI25N60N-F102 Preços (USD) [25094pcs Estoque]
- 1 pcs$1.64240
- Número da peça:
- FCI25N60N-F102
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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FCI25N60N-F102 Atributos do produto
Número da peça :
FCI25N60N-F102
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Series :
SupreMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3352pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
216W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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