TP65H050WS Preços (USD) [5775pcs Estoque]
- 1 pcs$7.13493
- Número da peça:
- TP65H050WS
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição detalhada:
- GANFET N-CH 650V 34A TO247-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Transphorm TP65H050WS electronic components. TP65H050WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP65H050WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TP65H050WS Atributos do produto
Número da peça :
TP65H050WS
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
119W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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