SIA106DJ-T1-GE3 Preços (USD) [247639pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14936
- Número da peça:
- SIA106DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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SIA106DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA106DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.5 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6
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