DMN3027LFG-13 Preços (USD) [306475pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12069
- 3,000 pcs$0.10724
- Número da peça:
- DMN3027LFG-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3027LFG-13 electronic components. DMN3027LFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3027LFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3027LFG-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3027LFG-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
580pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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