Rohm Semiconductor - RHU003N03FRAT106

KEY Part #: K6392890

RHU003N03FRAT106 Preços (USD) [1563902pcs Estoque]

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Número da peça:
RHU003N03FRAT106
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHU003N03FRAT106 Atributos do produto

Número da peça : RHU003N03FRAT106
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : 4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 200mW
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : UMT3
Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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