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Microchip Technology - VN10KN3-G-P002

KEY Part #: K6392809

VN10KN3-G-P002 Preços (USD) [226992pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16694
  • 2,000 pcs$0.16611
Número da peça:
VN10KN3-G-P002
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microchip Technology VN10KN3-G-P002 electronic components. VN10KN3-G-P002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VN10KN3-G-P002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VN10KN3-G-P002 Atributos do produto

Número da peça : VN10KN3-G-P002
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 310mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92-3
Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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