Infineon Technologies - IPB35N10S3L26ATMA1

KEY Part #: K6419694

IPB35N10S3L26ATMA1 Preços (USD) [125898pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29379
  • 1,000 pcs$0.26951

Número da peça:
IPB35N10S3L26ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH TO263-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB35N10S3L26ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPB35N10S3L26ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH TO263-3
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26.3 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 39µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 71W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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