Número da peça :
IPB35N10S3L26ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH TO263-3
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26.3 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 39µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 25V
Dissipação de energia (máx.) :
71W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB