IPB044N15N5ATMA1 Preços (USD) [22629pcs Estoque]
- 1 pcs$1.82131
- 1,000 pcs$1.67091
- Número da peça:
- IPB044N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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IPB044N15N5ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPB044N15N5ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
174A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 87A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.6V @ 264µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8000pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-7
Pacote / caso :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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