TPW1R306PL,L1Q Preços (USD) [66799pcs Estoque]
- 1 pcs$0.59163
- 5,000 pcs$0.58868
- Número da peça:
- TPW1R306PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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TPW1R306PL,L1Q Atributos do produto
Número da peça :
TPW1R306PL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series :
U-MOSIX-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
260A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8100pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-DSOP Advance
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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