DMNH10H028SK3-13 Preços (USD) [134368pcs Estoque]
- 1 pcs$0.27527
- 2,500 pcs$0.24363
- Número da peça:
- DMNH10H028SK3-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 55A TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-13 electronic components. DMNH10H028SK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH10H028SK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH10H028SK3-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMNH10H028SK3-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2245pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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