IXYS - IXFK420N10T

KEY Part #: K6395609

IXFK420N10T Preços (USD) [7922pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.75039
  • 50 pcs$5.72178

Número da peça:
IXFK420N10T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 420A TO-264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK420N10T Atributos do produto

Número da peça : IXFK420N10T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 100V 420A TO-264
Series : GigaMOS™ HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 420A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 670nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 47000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1670W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-264AA (IXFK)
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA