Infineon Technologies - IRF5305STRRPBF

KEY Part #: K6419525

IRF5305STRRPBF Preços (USD) [116452pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.31762
  • 800 pcs$0.30483

Número da peça:
IRF5305STRRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5305STRRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF5305STRRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Series : HEXFET®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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