[4163pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRL6372PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL6372PBF electronic components. IRL6372PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL6372PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL6372PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRL6372PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1020pF @ 25V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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