TK8P60W,RVQ Preços (USD) [91758pcs Estoque]
- 1 pcs$0.45426
- 2,000 pcs$0.45200
- Número da peça:
- TK8P60W,RVQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 600V 8A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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TK8P60W,RVQ Atributos do produto
Número da peça :
TK8P60W,RVQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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