ON Semiconductor - BBL4001-1E

KEY Part #: K6399906

BBL4001-1E Preços (USD) [28338pcs Estoque]

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  • 100 pcs$0.87471
  • 500 pcs$0.68033
  • 1,000 pcs$0.56370

Número da peça:
BBL4001-1E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 74A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BBL4001-1E Atributos do produto

Número da peça : BBL4001-1E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 74A TO220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 74A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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