SQJ872EP-T1_GE3 Preços (USD) [147465pcs Estoque]
- 1 pcs$0.25082
- Número da peça:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 150V.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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SQJ872EP-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 150V
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
24.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1045pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
55W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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