HUF75639P3-F102 Preços (USD) [79305pcs Estoque]
- 1 pcs$0.49304
- Número da peça:
- HUF75639P3-F102
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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HUF75639P3-F102 Atributos do produto
Número da peça :
HUF75639P3-F102
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 20V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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