IXFQ23N60Q Preços (USD) [8619pcs Estoque]
- 1 pcs$5.26196
- Número da peça:
- IXFQ23N60Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFQ23N60Q electronic components. IXFQ23N60Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ23N60Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFQ23N60Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFQ23N60Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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