C3M0075120D Preços (USD) [3887pcs Estoque]
- 1 pcs$11.14236
- Número da peça:
- C3M0075120D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrição detalhada:
- MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0075120D electronic components. C3M0075120D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0075120D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0075120D Atributos do produto
Número da peça :
C3M0075120D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrição :
MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC
Series :
C3M™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 15V
Vgs (máx.) :
+19V, -8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 1000V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
113.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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